时间：2025/5/10 9:42:35
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IPP032N06N3 G是一款由Infineon（英飞凌）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。
此型号中的关键特点包括其出色的热性能、低栅极电荷以及优化的动态性能，这些使得它在高频工作条件下依然能保持高效和稳定的工作状态。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：32A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC（典型值）
输入电容：1050pF（典型值）
总电容：480pF（典型值）
功耗：29W（典型值，取决于具体散热条件）
结温范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IPP032N06N3 G具备非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
同时，该器件的栅极电荷较小，从而降低了开关损耗，并且支持更高的开关频率。
由于采用了先进的TRENCHSTOP?技术，这款MOSFET拥有更好的鲁棒性和可靠性，能够承受雪崩能量冲击而不损坏。
此外，其高电流承载能力和宽广的工作温度范围，使其非常适合于工业及汽车领域的严苛环境应用。
IPP032N06N3 G广泛应用于DC-DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
它也常用于电动工具、家用电器中的电机驱动控制电路。
另外，在电动汽车充电设备和电池管理系统中，该器件同样表现出色，为现代电子设计提供了可靠的选择方案。
IPP032N06N3_LG, IPP030N06S3, IRFB4110TRPBF
